반도체 제조 전/후 공정

1. 반도체 제조 - 전(前) 공정

1) 산화 (Oxidation)
고온에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼에 화학 반응시켜
얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO2)을 형성시키는 공정

2) 감광액 도포 (Photo Esist)
빛에 민감한 물질인 감광액을 웨이퍼 표면에 고르게 도포

3) 노광 (Exposure)
Stepper를 사용하여 Mask에 그려진 회로 패턴에 빛을 통과시켜
감광액 막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 공정

4) 현상 (Development)
웨이퍼 표면에서 빛을 받은 부분의 막을 현상시키는 공정

5) 식각 (Etching)
회로 패턴을 형성시켜 주기 위해 화학물질이나 반응성 GAS를 사용하여
필요 없는 부분을 선택적으로 제거시키는 공정

6) 이온주입 (Ionlmplantation)
반도체가 원하는 특징을 나타내게 하기 위하여 회로 패턴에 연결된,
반도체의 특정 부위에 가속된 이온을 주입하는 공정

7) 화학기상증착 (CVD)
GAS 간의 화학반응으로 형성된 입자들을 웨이퍼 표면에 증착하여
절연막이나 전도성 막을 형성시키는 공정

8) 금속배선 (Metallization)
웨이퍼 표면에 형성된 각 회로를 알루미늄 선으로 연결시키는 공정


2. 반도체 제조 - 후(後) 공정

1) 웨이퍼 자동선별 (EDS Test)
웨이퍼에 형성된 IC 칩들의 전기적 동작여부를 컴퓨터로 검사하여
불량품을 자동 선별하는 공정

2) 웨이퍼 절단 (Sawing)
웨이퍼 상의 수많은 칩들을 분리하기 위해 다이아몬드 톱을 사용하여
웨이퍼를 절단하는 공정

3) 칩 접착 (Die Attach)
낱개로 분리되어 있는 칩 가운데 EDS Test에서 양품으로 판정된 칩을
리드프레임 위에 올려놓는 공정

4) 금속연결 (Wire Bonding)
칩 내부의 외부 연결 단자와 리드프레임을 가는 금선으로 연결하는 공정

5) 성형 (Molding)
칩과 연결금선 부분을 보호하기 위해 화학수지로 밀봉해 주는 공정

6) 최종검사 (Final Test)
성형된 칩의 전기적 특성 및 기능을 컴퓨터로 최종 검사하는 공정으로
최종 합격된 제품들을 제품명과 회사명을 마킹한 다음 입고 검사를 거쳐 최종 고객에게 판매